台积电3nm制程工艺9月量产 良品率优于预期

虽然三星已经实现3nm制程工艺的量产，但鉴于骁龙888和骁龙8 Gen1的失败，依旧被普遍质疑工艺的成熟性。

而现在，台积电的3nm制程工艺也来了。

目前有消息称，以试产情况来看，台积电N3制程预期9月进入量产，并且初期良品率表现会比5纳米N5制程初期还好。

日前，台积电总裁魏哲家在法人说明会中表示，台积电的N3制程进度符合预期，将在2022年下半年量产并具备良好良品率，同时在2023年稳定量产，并于2023年上半年开始贡献营收。

另外，台积电优化N3制程推出的3纳米N3E（3纳米加强版）制程研发成果优于预期，N3E制程将作为台积电3纳米家族的延伸，具有更好的效能、功耗和良品率，N3E制程将在2023年下半年进入量产，苹果及英特尔会是主要的两大客户。

据悉，台积电3纳米仍然采用鳍式场效电晶体（FinFET）架构，但N3制程已采用创新的TSMC FINFLEX技术，将3纳米家族技术的PPA（效能、功耗及面积）进一步提升。

台积电的FINFLEX技术让芯片设计人员能够在相同的芯片上，利用相同的设计工具，选择最佳的鳍结构以支援每一个关键功能区块，是让3纳米获得众多客户青睐及采用的关键。

更早之前，高通曾宣布称未来两年的旗舰骁龙处理器都将由台积电代工，有台积电加持，未来两年的旗舰手机们性能真的是值得期待。