SK海力士发布321层1Tb三层单元4D NAND闪存

2025年5月22日，SK海力士（SK hynix）正式发布了全球首款321层1Tb三层单元（Triple-Level Cell，TLC）4D NAND闪存的UFS 4.1移动存储解决方案，旨在满足旗舰智能手机及其他移动设备对高性能、低功耗存储的需求。

所谓321层4D NAND，是指在传统三维（3D）NAND的堆叠基础上，进一步将存储单元垂直堆叠至321层，并在存储阵列旁边集成外围控制电路，以提升整体存储密度和访问速度。TLC架构意味着每个存储单元可存储3位二进制数据（共8个电荷状态），相较于单层存储（SLC）或双层存储（MLC），TLC在同等面积下的数据容量更大，但对制造工艺和数据纠错能力提出了更高要求。

在性能方面，新一代UFS 4.1解决方案的最大连续读取速度可达4300 MB/s，接近于主流PCIe Gen3 NVMe固态硬盘的水平；相比上一代基于238层4D NAND的产品，其随机读取和随机写入速度分别提升了15%和40%，能够显著改善应用启动、界面切换及后台任务并发执行的流畅度，同时，封装厚度较上一代产品减少了15%，从1.00 mm降至0.85 mm，使其更易集成于超薄机身设计中。

功耗方面，新方案较前代产品功耗效率提升约7%，在高强度读写场景中更能明显降低整机能耗，有助于延长移动设备续航时间。SK海力士通过优化存储控制器算法，并结合低应力材料与自动校准技术，确保在多层堆叠和高密度集成情况下维持优良良率和长期稳定性。

产品容量方面，本次UFS 4.1解决方案将提供512 GB和1 TB两种规格，满足从中端到旗舰机型的不同需求。

SK海力士计划于2025年下半年完成客户认证，并于2026年第一季度起启动大规模出货，届时不仅应用于智能手机，也将推广至平板、可穿戴、车载及虚拟现实设备等多种终端。