台积电2nm有望下半年量产：或将带来15%性能提升

近日，台积电在2025年北美技术研讨会上透露，公司有望在今年下半年开始量产N2芯片。

这将是台积电首个依赖于全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的生产技术。

根据当前已知的信息，N2（即2nm工艺制程）作为台积电的全新工艺技术，将提供全节点性能和功耗优势，在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗提升20%-30%。

这意味着，N2与目前量产的N3相比，性能可以提高10%-15%，功耗能降低25%-30%。

同时，台积电表示N2的晶体管性能接近目标，256Mb SRAM模块的平均良率也超过90%，随着N2走向量产，工艺成熟度将处于较高水平。

最后，台积电还表示，N2及其衍生产品将进一步巩固他们的技术领先地位，使台积电能够更好地把握未来增长机遇。