三星电子考虑改善半导体封装工艺：非导电胶过渡至模塑底部填胶

近日有韩国媒体称，三星电子正在推进引入一种名为“模压填充（MUF）”的新材料，用于制造先进的半导体封装。

在此之前，三星一直坚持使用非导电薄膜（NCF）的方式，而MUF是SK海力士用于制造高带宽内存（HBM）的技术，因此MUF是否会被三星采用，成为主流技术，备受瞩目。

MUF是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的TSV工艺后，注入到半导体之间的材料。它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。

据悉，三星最近从日本购买了可以使MUF变硬的固化（模压）设备。

在此之前，三星一直使用自主开发的非导电粘合薄膜（NCF）来连接半导体。NCF是在半导体之间放入耐久性强的薄膜，防止芯片弯曲的技术，但一直有着处理困难、生产效率低下的问题。

三星考虑引入新材料的原因，就是为了改进工艺和提高生产效率。

SK海力士在生产第二代HBM时也使用了NCF，但从第三代（HBM2E）开始，转向了MUF（具体来说是Mass Re-flow Molded Underfill，简称MR-MUF），这也是SK海力士之所以能在HBM市场上崭露头角的其中一个原因，因此，三星也在寻求新的技术开发和引入的可能性。

一位熟悉三星情况的半导体行业人士表示：“三星正在考虑的MUF材料并不完全与SK海力士的技术相同。”他还说：“三星可能在考虑多种选择，并寻找最佳的技术方案。”三星电子是否会引入MUF还是未知数，但如果商用化成功，将对半导体材料、零部件、设备行业产生巨大的影响。

三星是世界最大的存储半导体企业，如果三星也引入MUF，那么MUF可能会成为主流技术，半导体材料市场也会发生巨大的变化。

不过三星电子的一位相关人士对于MUF的引入问题表示：“无法确认内部技术战略。”