消息称 三星3nm良品率不理想 高通骁龙8 Gen4仍将由台积电独家代工

近日，台媒科技新报称，高通的下一代旗舰3nm处理器骁龙8 Gen4仍将由台积电独家代工，而非此前传言的台积电和三星双代工模式。

科技新报称，由于三星3nm产能的保守扩张计划和良品率不理想，高通已正式取消明年由三星代工骁龙8 Gen4的计划。

根据今年9月高通泄露的资料，骁龙8 Gen4将基于台积电N3E工艺打造，未来可能会考虑使用三星SF2P工艺，此前，博主@Revegnus也表达了类似的说法，并表示双代工可能从骁龙8 Gen5开始，而所有骁龙8 Gen4均由台积电N3E工艺生产。

可以说，在3nm上，三星又是起了个大早，赶了个晚集。

早在去年6月，三星就宣布基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始生产，这标志着三星首次将创新的GAA架构用于晶体管技术，也是当时最早开始量产3nm工艺的晶圆代工厂。

而第二代3nm工艺3GAP（SF3）将利用第二代MBCFET架构，在第一代3nm SF3E的基础上进行优化，预计将于2024年开始大规模生产。

三星曾称，3nm GAA技术采用了宽通道的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA 技术相比能提供更高的性能和能耗比，在3nm GAA技术上， 三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求，此外，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化(DTCO) 非常有利，有助于实现更好的PPA优势。

与5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少 35%。