台积电公布2nm制程:新一代晶体管 功耗降低30%

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近日,台积电在2022年技术研讨会上,向外界公布了未来先进制程的路线。

按照台积电的技术路线图,3nm(N3)将于今年内量产,而且作为迭代,3nm要比过渡的4nm存在时间更长,后续还有N3E、N3P、N3X。

同时披露了2nm(N2)的部分信息,采用纳米片电晶体(Nanosheet),以取代使用多年的FinFET(鳍式场效应晶体管)。

所谓的纳米片电晶体,业界普遍认为应该就是台积电版的GAAFET(环绕栅极晶体管),微观结构原理相似,只是和三星方面命名不同。

台积电公布2nm制程:新一代晶体管 功耗降低30%

数据显示,相较于3nm,2nm制程相同功耗下速度提升10-15%,相同速度下,功耗降低25~30%。

看起来功耗提升还不错,但是注意,相比N3E,N2的晶体管密度只提升了10%,这倒是令人非常意外,如果按照新一代工艺,密度起码要提升100%,不知台积电作何考虑。

台积电表示,N2不仅有面向移动处理器的标准工艺,还会有针对高性能运算和小芯片(Chiplet)的整合方案,将于2025年量产。

台积电公布2nm制程:新一代晶体管 功耗降低30%

原创文章,作者:tangzheng,如若转载,请注明出处:http://www.antutu.com/doc/127548.htm

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