消息称 台积电2nm节点良率已达65% 三星仅40%

近日，KeyBanc Capital Markets的分析师John Vinh在一份面向投资者的报告中披露了当前三大晶圆代工厂商在先进制程方面的最新进展：台积电、英特尔与三星电子在2nm制程节点的良率存在显著差异。

其中，台积电的N2工艺当前良率约为65%，预计在技术趋于成熟后可达到75%；英特尔的18A工艺则从上一季度的约50%提升至55%，并有望在今年下半年进一步提高至65%至70%；三星电子的SF2工艺当前良率则相对较低，仅约为40%。

良率是晶圆成功生产出可用芯片的比例，是评估工艺成熟度和量产能力的关键指标，更高的良率意味着更高的生产效率与更低的制造成本，也是先进制程大规模商用的前提，因此是晶圆代工厂实力的重要展现，目前英伟达、苹果、高通等已锁定几乎全部台积电2nm制程工艺订单，英特尔的18A工艺也有望助推英特尔在今年内推出Panther Lake处理器。

不过值得注意的是，“2nm工艺”这一术语，并不代表晶体管物理尺寸的具体数值。

事实上，“2nm”更像是一个用于标示技术代际进展的市场术语，已不再严格对应晶体管尺寸本身。根据IEEE《器件与系统国际路线图》的定义，2nm节点通常意味着晶体管的接触栅极间距约为45纳米（nm），金属互连间距则约为20纳米。相比上一代的3nm工艺，2nm制程在晶体管密度、功耗控制和计算性能方面都有显著提升。

更高密度的晶体管布局不仅意味着更强的计算能力，也带来了更低的能耗表现，从而显著提升移动设备的整体性能与续航体验。