一个能打的都没有！台积电官宣2nm计划：近乎工艺极限

在日前的台积电技术论坛上，台积电除了公布5nm、4nm、3nm工艺进展之外，还透露了关于2nm的布局。

台积电宣布，公司已经在新竹购买了土地，将建设工厂和新的研发中心，同时雇佣8000多名工程师投入，推动2nm节点的研发。

与此同时，台积电还表示2nm将使用GAA（环绕栅极晶体管）技术，而不是3nm的FinFET（鳍式场效应晶体管）。消息称台积电使用的是圆形鳍柱，典型尺寸比现有工艺缩小30%。

台积电方面称，2nm芯片预计在2022年底进入消费终端，目前已成功找到切入GAA路径。

相较于保守的台积电，作为竞争对手三星似乎更为激进，此前就已宣布将在3nm节点上使用GAA技术（板片状结构多路桥接鳍片），相较于7nm FinFET，可以减少50%的能耗，增加30%的性能，将于2021年风险试产，2022年大规模量产。

而且有意思的是，三星公开宣布要到2030年超过台积电，取代后者的代工地位。

从技术方面来看，GAA的制造和传统FinFET有着相似之处，但前者技术要求更高，难度也更大，成本相应提升，虽然各家对于GAA工艺的鳍片形状不同，但本质上基本一样。

此外，网络上一直存在节点的另一种说法，即2nm是制程工艺的终点，其实从技术来看，目前芯片使用的是横向纳米线，仅适用于3nm和2nm，以下几乎不可能实现，所以才会存在这种说法，但要知道的是，半导体工艺现已演进到了2nm，比它更强的难道不存在吗？