性能大提升!台积电官宣:3nm安排、旗舰SoC都要用

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日前,台积电举办了第26届技术研讨会,披露了旗下最新工艺制程的进度,包括最新5nm工艺,以及更先进的3nm、4nm工艺。

台积电表示,公司规划了两代5nm工艺,分别是N5和N5P,其中N5引入EUV(极紫外光刻)技术,目前已大规模量产。据说苹果A14和麒麟9000系列均使用了这项工艺打造。

按照官方的说法,相比目前旗舰SoC使用的N7,N5的功耗降低了30%、性能提升15%,逻辑器件密度提升了1.8倍。

N5P是基于N5的改良版,还在开发中,规划2021年量产,相比第一代5nm功耗进一步降低10%,且性能提升了5%。

性能大提升!台积电官宣:3nm工艺安排、旗舰SoC标配

然后是更为先进的3nm、4nm,从命名来看,4nm是5nm的进一步改良,将于明年晚些时候风险试产,2022年量产,使用N5的客户能够顺利过渡到4nm,基本可以视为5nm的最终改良版。

这和之前6nm工艺有些相同,它也是7nm工艺的升级版,优势在于性能、功耗继续优化,同时设计上彼此兼容,客户能以几乎相同的成本拿到新工艺。

而3nm才是5nm真正的迭代升级,同样是在明年晚些时候风险试产,2022年投入大规模量产。台积电表示,相比5nm工艺,3nm将可以带来25~30%的功耗减少以及10~15%的性能提升。

性能大提升!台积电官宣:3nm工艺安排、旗舰SoC标配

不过台积电并不是唯一一家量产3nm工艺的厂商,三星此前透露明年就要把3nm量产安排,并且两家核心技术不尽相同,台积电使用的是FinFET(鳍式场效应晶体管),三星则是改用Gate-All-Around(GAA,环绕栅极晶体管),两种技术差异需等最终量产为准。

按照三星的说法,3nm可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%,但需要注意的是,三星对比的是7nm工艺。

性能大提升!台积电官宣:3nm工艺安排、旗舰SoC标配

原创文章,作者:tangzheng,如若转载,请注明出处:http://www.antutu.com/doc/122797.htm

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