日前，美光集团宣布，已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存颗粒、96层堆叠3D NAND闪存颗粒整合封装在一起的芯片“uMCP5”。
按照官方说法，美光uMCP5单芯片整合了12GB容量、6400MHz频率、第二代10nm级工艺制造的双通道LPDDR5内存以及256GB容量、96层堆叠、UFS接口的3D TLC闪存。
此外，芯片中还整合有板载控制器，接口为297针标准BGA封装。
官方称，uMCP5相比传统内存、闪存双芯片组合可以节省40％的面积，同时内存和存储带宽比上代方案提升50％。
目前，该芯片已经向客户出样，具体量产时间未知。
原创文章，作者：xiaopeng，如若转载，请注明出处：http://www.antutu.com/doc/121036.htm
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